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Effect of growth temperature on quantum dot laser (Ga,In) (N,As) self-assembled quantum dots.

Présentation du processus de Réalisation et de caractérisation des structures Laser GINA à puits et à boîtes quantiques émettant à 1,3 et 1,55 ?m pour application aux Télécommunications


Date de debut : 07 April 2011
Date de fin : 09 April 2011
Lieu : L’Alpe d’Huez», France.
Type : Conférence
Mise en ligne par : NIASSE Oumar Absatou