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Comparative Study of Luminescence Characterization of HEMTS Transistors with Different Buffers

Dans cet article, une étude de caractérisation optique est faite principalement par la photoluminescence (PL) de la structure d’un transistor à haute mobilité électrique (HEMT). Nous avons étudié la spectroscopie de photoluminescence de plusieurs échantillons de transistors HEMT AlGaN/GaN avec trois types de substrat (silicium, saphir, GaN). Après avoir obtenu les résultats pour chaque type d’échantillon, une étude comparative est réalisée selon les mêmes conditions, permettant ainsi d’évaluer les transistors de meilleure qualité. La largeur à mi-hauteur, les contraintes sur l'énergie de l'électron libre sont devenus des paramètres accessibles à la suite de l'exploitation des spectres de PL. Ils fournissent également des informations sur la qualité de la structure. Nous avons ainsi mis en évidence une nouvelle transition radiative des électrons du canal 2D avec des trous de bande de valence piégés par un puits quantique dans nos structures HEMT tampons AlGaN [8]. Ces résultats obtenus sont en parfait accord avec la forme en escalier de la densité d'état 2D. Nous avons ainsi montré que la polarisation spontanée et la polarisation piézoélectrique sont à l’origine du gaz d’électron 2D, formé dans une structure HEMT AlGaN/GaN.


Auteur(s) : Oumar A. Niasse1, Mamadou Niane2, Nacire Mbengue, Fatou Dia2 and Bassirou BA2,
Pages : 63-69
Année de publication : 2018
Revue : Elixir Materials Science
N° de volume : 124
Type : Article
Statut Editorial : international
Mise en ligne par : NIASSE Oumar Absatou