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Theoretical Study of the Spectral Response in Near Infrared of IIIV Photodetectors Based on Al, Ga, In, and Sb: The Window Layer Effect

Les réponses spectrales sont particulièrement importantes pour la conception de photodétecteurs fonctionnant dans la gamme de longueur d'onde comprise entre 0,78 ?m et 2,6 ?m. Pour élaborer chaque modèle de dispositif, nous proposons un modèle théorique pour calculer le rendement quantique interne. Les courbes théoriques du rendement quantique interne sont obtenues, par simulation à partir du logiciel Mathcad, pour définir les paramètres géométriques et photoélectriques des dispositifs photodétecteurs. La modélisation des différents dispositifs nous permet d'analyser la situation en surface et en volume de chaque modèle. Les résultats et les modèles théoriques des hétérostructures à base de Ga1-xInxSb, Ga1yAlySb déposées sur substrat GaSb, avec couche fenêtre sont montrés après simulation du rendement quantique interne et de la sensibilité de chaque modèle. L'analyse de ces résultats nous a permis d'apprécier lequel de ces modèles est le plus efficace et d'identifier les paramètres photoélectriques à améliorer pour une meilleure détection dans le proche infrarouge. Nous avons constaté que la présence de la couche fenêtre réduit considérablement les pertes par recombinaison, améliorant ainsi les performances du photodétecteur


Auteur(s) : Mamadou Dia, Babacar Mbow, EL Hadji Mamadou Keita, Abdoul Aziz Correa, Mamadou Lamine Sow
Pages : 45-53
Année de publication : 2017
Revue : International Journal of Materials Science and Applications
N° de volume : 6(1)
Type : Article
Mise en ligne par : MBOW Babacar