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THEORETICAL DETERMINATION OF THE MULTIPLICATION FACTOR IN THE CuInSe2 (CIS) P+N PHOTODIODES

Dans cet article, nous étudions l’extension de la zone de charge d’espace sous polarisation inverse. Ce qui conduit à une augmentation du photocourant initial. Notre objectif est de déterminer le facteur de multiplication des porteurs à partir des coefficients d’ionisation des trous et des électrons dans une photodiode de CuInSe2 de type P+/N. La détermination du facteur de multiplication à plusieurs longueurs d’onde est réalisée. Pour des champs électriques variant de 0,5V à 5,8V, le rapport des coefficients d’ionisation montrent un grand intérêt sur la performance de cette photodiode. Nos résultats sont comparés avec ceux de la littérature et montrent une bonne concordance avec quelques auteurs pour des matériaux photodétecteurs. Les valeurs trouvées montrent que l’injection des trous à travers la jonction est plus prépondérante puisque le rapport de kp/kn est de l’ordre de 11,04.


Auteur(s) : Abdoul Aziz Correa*, Babacar Mbow, Mamadou Dia, Yves Tabar, ELHadji Mamadou Keita, Cheikh Sene
Pages : 630-641
Année de publication : 2017
Revue : IJESRT INTERNATIONAL JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES & RESEARCH TECHNOLOGY
N° de volume : 6
Type : Article
Mise en ligne par : MBOW Babacar