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Investigationof structuralproperties of layered III nitride semiconducteur materials by high resolution X rays diffraction



Auteur(s) : S. Ndiaye, A. Dioum, PD Tall, K.Bejtka, M Laught; H Schenk AC Beye
Pages : pp. 1653-1660
Année de publication : 2012
Revue : International Journal of physical sciences
N° de volume : vol 7 (10)
Type : Article
Mise en ligne par : TALL Papa Douta