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Investigation of structural properties of layered III nitride semiconductor materials by high resolution X rays diffraction



Auteur(s) : S. Ndiaye, A. Dioum, PD Tall, M Laught, HPD Schenk, AC Beye
Pages : pp.1653-1660
Année de publication : March
Revue : International Journal of Physical Sciences
N° de volume : Vol 7 (10)
Type : Article
Mise en ligne par : TALL Papa Douta